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    3. 北京北廣精儀儀器設備有限公司
      品質(zhì)是生命,服務(wù)是宗旨

      Quality is life, service is the tenet

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      介電常數/介質(zhì)損耗測試儀

      發(fā)布時(shí)間:  2024-08-12

      產(chǎn)品型號:  gdat-a

      產(chǎn)品報價(jià):  

      廠(chǎng)商性質(zhì):  生產(chǎn)廠(chǎng)家

      所  在  地:  北京市海淀區上地科技園上地十街1號

      產(chǎn)品特點(diǎn):  介電常數介質(zhì)損耗試驗儀滿(mǎn)足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(cháng)在內)下電容率和介質(zhì)損耗因數的推薦方法

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      產(chǎn)品概述


      介電常數介質(zhì)損耗試驗儀滿(mǎn)足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(cháng)在內)下電容率和介質(zhì)損耗因數的推薦方法


      一、介電常數介質(zhì)損耗試驗儀概述

      GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達到目前高的160MHz。 

      一、介電常數介質(zhì)損耗試驗儀概述
      介質(zhì)損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過(guò)測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據;儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數字鎖定,標準頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉換,數值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。
      該儀器用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠(chǎng)等單位對無(wú)機非金屬新材料性能的應用研究。
       
        主要技術(shù)特性  
      Q 值測量范圍  2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
      固有誤差  ≤ 5 % ± 滿(mǎn)度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿(mǎn)度值的2%(10MHz~160MHz)  
      工作誤差  ≤7% ± 滿(mǎn)度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿(mǎn)度值的2%(10MHz~160MHz)  
      電感測量范圍  4.5nH ~ 140mH  
      電容直接測量范圍  1 ~ 200pF  
      主電容調節范圍  18 ~ 220pF  
      主電容調節準確度  100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  
      信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ~ 160MHz  
      頻率分段 ( 虛擬 )  100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
      頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

      搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
      一 . 概述

      BD916介質(zhì)損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測量絕緣材料的介電常數和介質(zhì)損耗系數(損耗角正切值)。
      BD916介質(zhì)損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,它采用了數顯微測量裝置,因而讀數方便,數據精確。
      測試裝置由一個(gè)LCD數字顯示微測量裝置和一對間距可調的平板電容器極片組成。
      平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
      BD916介質(zhì)損耗測試裝置須配用Q表作為調諧指示儀器,通過(guò)被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化,測得絕緣材料的損耗角正切值。
      從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數。 


      BD916介質(zhì)損耗測試裝置技術(shù)特性 

      平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選  
      極片間距可調范圍:≥15mm 
      2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 
      3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 
      4.測微桿分辨率:0.001mm
       
      電感:
       
      線(xiàn)圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
        9         100KHz      98       9.4           25mH
        8         400KHz     138       11.4        4.87mH
        7         400KHz    202       16           0.99mH
        6           1MHz     196       13          252μH
        5           2MHz     198       8.7        49.8μH
        4         4.5MHz    231       7             10μH 
        3          12MHz      193     6.9         2.49μH
        2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
        1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

       

      介電常數介質(zhì)損耗測試儀使用說(shuō)明

      測試準備工作
      先要詳細了解配用Q表的使用方法,操作時(shí),要避免人體感應的影響。
      a. 把配用的Q表主調諧電容置于較小電容量。
      b. 把本測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
      c. 配上和測試頻率相適應的高Q值電感線(xiàn)圈(本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿(mǎn)足要求),如:1MHz 時(shí)電感取250uH,15MHz時(shí)電感取1.5uH。
      d. 短按ON/OFF按鍵,打開(kāi)液晶顯示屏。
      e. 調節平板電容器測微桿,使平板電容器二極片相接為止,長(cháng)按SET按鍵將初始值設置為0。
      4.介電常數Σ的測試
      a. 再松開(kāi)二極片,把被測樣品插入二極片之間,調節平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調節時(shí)要用測微桿,以免夾得過(guò)緊或過(guò)松),這時(shí)能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數值,既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上。
      b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,此時(shí)調節平板電容器,
      使Q 表再回到諧振點(diǎn)上,讀取測試裝置液晶顯示屏上的數值記為D4
      c. 計算被測樣品的介電常數:
                               Σ=D2 / D4     
                 

      5.介質(zhì)損耗系數的測試
      a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個(gè)端上。
      把被測樣品插入二極片之間,改變Q 表上的主調電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)
      上,讀得Q 值,記為Q2。電容讀數記為C2。
      b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,再改變Q 表上的主調電容
      容量,使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值,記為Q1。電容讀數記為C1。
      c. 然后取下測試裝置,再改變Q 表上的主調電容容量,重新使之諧振,電
      容讀數記為C3,此時(shí)可計算得到測試裝置的電容為CZ = C3 -C1
      d. 計算被測樣品的介質(zhì)損耗系數

      ?
      ? ?
      式中:CZ 為測試裝置的電容(平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2)
      C0 為測試電感的分布電容(參考LKI-1 電感組的分布電容值)
       

       

       

            

       


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